IGBT 1,7kV 21A SOT227B
Cod producător: IXBN42N170A
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare mecanica
- înşurubare
- Montare electrica
- înşurubare
- Structura semiconductorului
- mono-tranzistor
- Carcasa
- SOT227B
- Tip modul
- IGBT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Tensiune inversa max
- 1.7kV / 1,7kV
- Tehnologie
- BiMOSFET™
Modul: IGBT · mono-tranzistor · Urmax: 1,7kV · Ic: 21A · SOT227B · 313W
Stoc limitatExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
311,71 RON / bucată
TVA inclus
257,61 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare mecanica
- înşurubare
- Montare electrica
- înşurubare
- Structura semiconductorului
- mono-tranzistor
- Carcasa
- SOT227B
- Tip modul
- IGBT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Tensiune inversa max
- 1.7kV / 1,7kV
- Tehnologie
- BiMOSFET™
Specificații IGBT 1,7kV 21A SOT227B
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | IXYS | |
| Montare mecanica | înşurubare | |
| Montare electrica | înşurubare | |
| Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
| Carcasa | SOT227B | |
| Tip modul | IGBT | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Tensiune inversa max | 1.7kV / 1,7kV | |
| Tehnologie | BiMOSFET™ | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
| Putere disipata | 313W | |
| Curent de colector pulsat | 265A | |
| Curent de colector | 21A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere IGBT 1,7kV 21A SOT227B
IGBT 1,7kV cu carcasă SOT227B
IXBN42N170A este un modul IGBT IXYS, cu structură semiconductor mono-tranzistor și tehnologie BiMOSFET™. Este specificat cu tensiune inversă maximă de 1,7kV și curent de colector de 21A.
Carcasa SOT227B și montarea mecanică/electrică prin înşurubare definesc acest modul pentru integrare fixă în echipamente compatibile cu acest tip de montaj.
- Tip modul: IGBT
- Carcasă: SOT227B
- Tensiune poartă-emitor: ±20V
- Putere disipată: 313W
- Curent de colector pulsat: 265A
Documentație IGBT 1,7kV 21A SOT227B
Recenzii IGBT 1,7kV 21A SOT227B
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
În stoc
Fără imagine
IXYSIXA20PG1200DHGLB
Modul IGBT semipunte 1,2kV SMT
87,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXA30RG1200DHGLB
Modul IGBT 1,2kV 30A
57,57RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSMIXA10WB1200TED
Modul IGBT IXYS MIXA10WB1200TED 1,2kV 12A Buck Chopper diodă/tranzistor
567,33RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IXYSIXBN75N170
IGBT SOT227B 1.7kV 75A
752,79RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
MicrochipAPT35GP120J
IGBT Mono-Tranzistor 1,2kV 29A
323,02RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
VISHAYVS-GT100DA120UF
Modul IGBT VISHAY mono-tranzistor 1,2kV 100A SOT227B
323,82RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSK 55 DGL 126 24910820
Modul IGBT Boost Chopper 1,2kV 55A SEMIKRON DANFOSS
324,15RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESFP15R12W1T4_B3
Modul IGBT trifazat INFINEON 15A 130W Punte de diodă
297,37RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 11NAB126V1 25230010
Modul IGBT 1,2kV 15A
4kW
292,65RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
STARPOWER SEMICONDUCTORGD15PJY120F1S
Modul IGBT STARPOWER 1200V, 15A - Diodă/Tranzistor Boost Chopper
290,16RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 12HEB066V1 25230840
Modul IGBT Boost Chopper SEMIKRON DANFOSS SKIIP 12HEB066V1 600V
333,27RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSK 75 GAL 12T4 24915290
Modul IGBT 1.2kV 75A
268,61RON / bucTVA inclus