Modul IGBT VISHAY mono-tranzistor 1,2kV 100A SOT227B

Modulul IGBT VISHAY mono-tranzistor 1,2kV 100A SOT227B este construit pe tehnologia avansată Trench, asigurând performanțe superioare și eficiență ridicată în aplicații de putere. Carcasa robustă SOT227B permite montarea mecanică și electrică prin înşurubare, garantând o fixare solidă și o disipare termică optimă. Structura semiconductorului mono-tranzistor integrată cu diodă anti-paralelă oferă o comutație rapidă și fiabilitate crescută. Dispune de o tensiune maximă inversă de 1,2 kV și un curent de colector nominal de 100A, cu un curent de colector pulsat de până la 240A, răspunzând astfel cerințelor ridicate de sarcină. Tensiunea poartă-emitor suportată este ±20V, asigurând un control precis al comutării. Producătorul VISHAY, recunoscut pentru calitatea componentelor electronice, garantează un modul IGBT durabil și performant, optim pentru utilizatori ce solicită condiții de funcționare exigente și stabilitate în timp.