Module IGBT

Aici găseşti module IGBT pentru invertoare, UPS, convertizoare de frecvenţă şi aplicaţii de putere. Sunt utile atât la service, cât şi la proiecte industriale sau hobby cu comandă de putere.

113produse
Stoc limitat
Fără imagineIGBT Mono-Tranzistor 1,2kV 29A
MicrochipAPT35GP120J
IGBT Mono-Tranzistor 1,2kV 29A
322,69RON / bucTVA inclus
Stoc limitat
Fără imagineModul IGBT 1200V 75A
INFINEON TECHNOLOGIESFP75R12KT4
Modul IGBT 1200V 75A
1.861,80RON / bucTVA inclus
Stoc limitat
Fără imagineModul IGBT 1,2kV semipunte
HUAJINGHFGM150D12V3
Modul IGBT 1,2kV semipunte
678,34RON / bucTVA inclus
Stoc limitat
Fără imagineTranzistor IGBT semipunte 1.2kV, 200A
HUAJINGHFGM200D12V3-HUA
Tranzistor IGBT semipunte 1.2kV, 200A
726,74RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT Semipunte 1.2kV 300A
HUAJINGHFGM300D12V3
Modul IGBT Semipunte 1.2kV 300A
1.073,12RON / bucTVA inclus
Stoc limitat
Fără imagineModule IGBT semipunte 1,2kV 75A
HUAJINGHFGM75D12V1
Module IGBT semipunte 1,2kV 75A
398,16RON / bucTVA inclus
Stoc limitat
Fără imagineIGBT 1,7kV 21A SOT227B
IXYSIXBN42N170A
IGBT 1,7kV 21A SOT227B
310,43RON / bucTVA inclus
Stoc limitat
Fără imagineIGBT SOT227B 1.7kV 75A
IXYSIXBN75N170
IGBT SOT227B 1.7kV 75A
749,68RON / bucTVA inclus
Stoc limitat
Fără imagineModul IGBT 600V 379A
SEMIKRON DANFOSSSEMIX402GAL066HDS 27891104
Modul IGBT 600V 379A
882,88RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT 1,2kV 31A
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 23NAB126V1 25230060
Modul IGBT 1,2kV 31A
710,57RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT 1,2kV 15A
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 11NAB126V1 25230010
Modul IGBT 1,2kV 15A
4kW
291,44RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT 1.2kV 22A
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 12NAB126V1 25230020
Modul IGBT 1.2kV 22A
354,18RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT 1,6kV 15A
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 12NAB12T4V1 25231440
Modul IGBT 1,6kV 15A
360,80RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT 1200V boost chopper
SEMIKRON DANFOSSSKM150GAL12T4 22892300
Modul IGBT 1200V boost chopper
724,74RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineTranzistor IGBT Semipunte 1.2kV
SEMIKRON DANFOSSSKM150GB12T4 22892040
Tranzistor IGBT Semipunte 1.2kV
783,93RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineIGBT Diodă/Tranzistor 1,2kV 20A
SEMIKRON DANFOSSSKM200GAL125D 22890740
IGBT Diodă/Tranzistor 1,2kV 20A
1.240,60RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModule IGBT semipunte 1.2kV 200A
SEMIKRON DANFOSSSKM200GB12T4 22892060
Module IGBT semipunte 1.2kV 200A
1.324,31RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT semipunte 1,7kV
SEMIKRON DANFOSSSKM200GB176D 22890700
Modul IGBT semipunte 1,7kV
1.369,99RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT 1.2kV 300A
SEMIKRON DANFOSSSKM300GA12V 22892123
Modul IGBT 1.2kV 300A
1.468,94RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModule IGBT 1.2kV, boost chopper
SEMIKRON DANFOSSSKM300GAL12E4 22892334
Module IGBT 1.2kV, boost chopper
1.369,99RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineModul IGBT semipunte 1.2kV 300A
SEMIKRON DANFOSSSKM300GB126D 22890633
Modul IGBT semipunte 1.2kV 300A
1.950,81RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineIGBT Boost Chopper 1,2kV
SEMIKRON DANFOSSSKM100GAL12T4 22892600
IGBT Boost Chopper 1,2kV
542,18RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineIGBT Semipunte 1,2kV
SEMIKRON DANFOSSSKM100GB12T4 22892020
IGBT Semipunte 1,2kV
634,25RON / bucTVA inclus
În stoc
Fără imagineTranzistor semipunte IGBT 1,2kV
SEMIKRON DANFOSSSKM100GB12V 22892023
Tranzistor semipunte IGBT 1,2kV
783,93RON / bucTVA inclus

Ghid: Module IGBT

Modulele IGBT combină comanda de tip tranzistor bipolar cu avantajele unui MOSFET la comutaţie, fiind folosite în etaje de putere unde contează eficienţa şi controlul curentului. În această categorie apar variante mono-tranzistor, semipunte şi module cu carcasă SOT227B, potrivite pentru invertor, UPS, fotovoltaic sau convertizor de frecvenţă. Branduri precum SEMIKRON DANFOSS, IXYS, INFINEON TECHNOLOGIES, HUAJING, Microchip, POWERSEM şi STARPOWER SEMICONDUCTOR acoperă nevoi diferite de integrare şi putere.

Tipul constructiv este primul lucru de verificat. Un modul mono-tranzistor se alege când proiectul are nevoie de un singur element de comutaţie, iar un modul semipunte este mai potrivit pentru topologii de invertor şi UPS, unde există deja perechi complementare în aceeaşi capsulă. La unele produse apare o carcasă precum SOT227B, utilă când contează montarea mecanică şi disiparea termică. Diferenţele dintre module ţin şi de tensiunea blocată, de curentul nominal şi de puterea disipată admisă.

La selecţie compară tensiunea de lucru, curentul continuu, puterea disipată, tipul capsulei şi modul de montare. În practică, valori precum 600V, 1,2kV sau 1,7kV indică domeniul de utilizare, iar curenţii de la zeci la sute de amperi arată cât de solicitant poate fi montajul. Verifică şi compatibilitatea cu driverul de poartă, timpul de comutaţie, izolaţia faţă de radiator şi schema de conexiune. Pentru aplicaţii industriale, detaliile de răcire şi cuplul de strângere sunt la fel de importante ca parametrii electrici.

O greşeală frecventă este alegerea după curentul nominal fără a ţine cont de tensiune, temperatură şi condiţiile reale de răcire. La fel de importantă este verificarea pinout-ului, a poziţiei terminalelor şi a compatibilităţii mecanice cu radiatorul sau cu placa existentă. Pentru service, compară modulul vechi cu cel nou după codul complet, capsulă şi tipologie; la proiecte noi, porneşte de la tensiunea magistralei şi de la sarcina maximă.

Dacă lucrezi cu căutări precum modul igbt, tranzistor igbt sau igbt transistor, foloseşte filtrele de pe site după brand, tensiune, curent, capsulă şi utilizare. Aşa ajungi rapid la modulul potrivit pentru aplicaţia ta, fără să pierzi timp cu variante incompatibile.

Întrebări frecvente

Cum aleg un modul IGBT pentru invertor sau UPS?

Începe cu tensiunea magistralei şi cu curentul necesar pe sarcină, apoi verifică tipul de topologie: mono-tranzistor sau semipunte. Contează şi capsula, de exemplu SOT227B, precum şi răcirea disponibilă. Pentru service, cel mai sigur este să compari codul complet şi schema de pini cu piesa originală.

Ce diferenţă este între modul IGBT mono-tranzistor şi semipunte?

Modulul mono-tranzistor include un singur element de comutaţie, fiind util în etaje unde proiectantul defineşte separat puntea. Modulul semipunte integrează doi tranzistori într-o structură complementară, des folosită în invertoare şi UPS. Alegerea depinde de schema existentă şi de compatibilitatea cu driverul de comandă.

Se poate folosi un modul IGBT de 1,2 kV în locul unuia de 600 V?

Doar dacă restul circuitului este proiectat pentru acel nivel de tensiune şi dacă modulul se potriveşte electric şi mecanic. Un rating mai mare nu înseamnă automat compatibilitate, fiindcă pot diferi capsula, curentul, pierderile şi comanda de poartă. Verifică şi parametrii de comutaţie, nu doar tensiunea maximă.

Ce înseamnă puterea disipată la un modul IGBT?

Puterea disipată arată câtă energie termică poate evacua modulul în condiţii de funcţionare, împreună cu radiatorul şi sistemul de răcire. Este un parametru important în aplicaţii cu curenţi mari sau funcţionare continuă. Dacă este subdimensionat, modulul se încălzeşte excesiv şi scade fiabilitatea montajului.