IGBT SOT227B 1.7kV 75A
Cod producător: IXBN75N170
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare mecanica
- înşurubare
- Montare electrica
- înşurubare
- Structura semiconductorului
- mono-tranzistor
- Carcasa
- SOT227B
- Tip modul
- IGBT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Tensiune inversa max
- 1.7kV / 1,7kV
- Curent de colector
- 75A
Modul: IGBT · mono-tranzistor · Urmax: 1,7kV · Ic: 75A · SOT227B · 625W
Stoc limitatExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
752,79 RON / bucată
TVA inclus
622,14 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare mecanica
- înşurubare
- Montare electrica
- înşurubare
- Structura semiconductorului
- mono-tranzistor
- Carcasa
- SOT227B
- Tip modul
- IGBT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Tensiune inversa max
- 1.7kV / 1,7kV
- Curent de colector
- 75A
Specificații IGBT SOT227B 1.7kV 75A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | IXYS | |
| Montare mecanica | înşurubare | |
| Montare electrica | înşurubare | |
| Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
| Carcasa | SOT227B | |
| Tip modul | IGBT | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Tensiune inversa max | 1.7kV / 1,7kV | |
| Curent de colector | 75A | |
| Putere disipata | 625W | |
| Tehnologie | BiMOSFET™ | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
| Curent de colector pulsat | 680A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere IGBT SOT227B 1.7kV 75A
IGBT SOT227B cu tensiune inversă max. 1.7kV
IXBN75N170 este un modul IGBT IXYS, cu structură de mono-tranzistor și carcasă SOT227B. Este definit prin montare mecanică și electrică prin înșurubare.
Specificațiile esențiale includ tensiune poartă-emitor ±20V, curent de colector 75A și putere disipată 625W. Modulul utilizează tehnologia BiMOSFET™ și este încadrat ca element semiconductor de tensiune înaltă.
- Tip modul: IGBT
- Carcasă: SOT227B
- Tensiune inversă max.: 1.7kV
- Curent de colector: 75A
- Curent de colector pulsat: 680A
Documentație IGBT SOT227B 1.7kV 75A
Recenzii IGBT SOT227B 1.7kV 75A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
În stoc
Fără imagine
IXYSMIXA10WB1200TED
Modul IGBT IXYS MIXA10WB1200TED 1,2kV 12A Buck Chopper diodă/tranzistor
567,33RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IXYSIXBN42N170A
IGBT 1,7kV 21A SOT227B
311,71RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXA20PG1200DHGLB
Modul IGBT semipunte 1,2kV SMT
87,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXA30RG1200DHGLB
Modul IGBT 1,2kV 30A
57,57RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKM75GB17E4 22895030
Tranzistor IGBT semipunte 1,7kV 75A
734,45RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 24NAB12T4V1 25231420
Modul IGBT Boost Chopper SEMIKRON DANFOSS SKIIP 24NAB12T4V1 1,2kV 35A
11kW
730,90RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKM150GAL12T4 22892300
Modul IGBT 1200V boost chopper
727,74RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
HUAJINGHFGM200D12V3-HUA
Tranzistor IGBT semipunte 1.2kV, 200A
727,45RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKM75GB12V 22892013
Modul IGBT semipunte 1,2kV
725,27RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKM150GB12T4 22892040
Tranzistor IGBT Semipunte 1.2kV
787,19RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKM100GB12V 22892023
Tranzistor semipunte IGBT 1,2kV
787,19RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEMIKRON DANFOSSSKIIP 23NAB126V1 25230060
Modul IGBT 1,2kV 31A
713,52RON / bucTVA inclus