Fără imagine
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Curent de colector
- 40A
- Curent de colector pulsat
- 120A
- Carcasa
- TO3P
Tranzistor: IGBT · 650V · 40A · 174W · TO3P
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
52,19 RON / bucată
TVA inclus
43,13 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Caracteristici elemente semiconductoare
- integrated anti-parallel diode
- Curent de colector
- 40A
- Curent de colector pulsat
- 120A
- Carcasa
- TO3P
Specificații Tranzistor IGBT 650V 40A TO3P - Performanță înaltă
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Montare | THT | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | integrated anti-parallel diode | |
| Curent de colector | 40A | |
| Curent de colector pulsat | 120A | |
| Carcasa | TO3P | |
| Tensiune colector emitator | 650V | |
| Incarcatura poarta | 119nC | |
| Putere disipata | 174W |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT 650V 40A TO3P - Performanță înaltă
Tranzistorul IGBT FGA40N65SMD de la ONSEMI este o soluție ideală pentru aplicații de putere, oferind o tensiune colector-emițător de 650V și un curent de colector de 40A.
Acest tranzistor cu montare THT are o putere disipată de 174W și este dotat cu o diodă integrată anti-paralel, asigurând fiabilitate și eficiență în funcționare.
Specificații tehnice:
- Tensiunea poartă-emitor: ±20V
- Curent de colector pulsat: 120A
- Încărcătură poartă: 119nC
Ideal pentru diverse aplicații industriale și comerciale, acest tranzistor combină performanța superioară cu un design compact TO3P.
Documentație Tranzistor IGBT 650V 40A TO3P - Performanță înaltă
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor IGBT 650V 40A TO3P - Performanță înaltă
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
În stoc
Fără imagine

ONSEMIFGH40N60SMD
Tranzistor IGBT 600V 40A 174W TO247-3
52,43RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFGHL40T120SWD
Tranzistor IGBT 1,2kV 40A TO247-3 - Performanță Ridicată
54,57RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIAFGHL40T65SPD
Tranzistor IGBT ONSEMI 650V 40A TO247-3 - Performanță și Fiabilitate
55,56RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFGH40T65SHDF-F155
Tranzistor IGBT 650V 40A TO247-3
47,18RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFGH40N60SFDTU
Tranzistor IGBT 600V 40A TO247-3
46,94RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMINGTB35N65FL2WG
Tranzistor IGBT 650V 35A TO247-3 - Performanță de top
59,30RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFGA60N65SMD
Tranzistor IGBT 650V 60A 300W TO3PN - FGA60N65SMD ONSEMI
59,74RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIISL9V5036P3-F085
Tranzistor IGBT 360V 31A, TO220-3, pentru sisteme de aprindere
40,18RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFGH40N60UFDTU
Tranzistor IGBT 600V 40A TO247-3
39,72RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMINGTB15N120FL2WG
Tranzistor IGBT ONSEMI NGTB15N120FL2WG 1,2kV 15A TO247-3
64,92RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFGH60N60SMD
Tranzistor IGBT 600V 60A 300W TO247-3
66,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFGA40T65SHD
Tranzistor IGBT 650V 40A TO3P - Eficiență și Performanță
37,63RON / bucTVA inclus