Tranzistor IGBT 1,2kV 40A TO247-3 - Performanță Ridicată
🔍 zoom- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Carcasa
- TO247-3
- Curent de colector
- 40A
- Incarcatura poarta
- 118nC
- Tensiune colector emitator
- 1,2kV
Tranzistor: IGBT · 1,2kV · 40A · 234W · TO247-3
- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Carcasa
- TO247-3
- Curent de colector
- 40A
- Incarcatura poarta
- 118nC
- Tensiune colector emitator
- 1,2kV
Specificații Tranzistor IGBT 1,2kV 40A TO247-3 - Performanță Ridicată
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Montare | THT | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Curent de colector | 40A | |
| Incarcatura poarta | 118nC | |
| Tensiune colector emitator | 1,2kV | |
| Curent de colector pulsat | 160A | |
| Putere disipata | 234W |
Descriere Tranzistor IGBT 1,2kV 40A TO247-3 - Performanță Ridicată
Tranzistorul IGBT de la ONSEMI, model FGHL40T120SWD, este proiectat pentru aplicații industriale avansate. Cu o tensiune colector-emiţător de 1,2kV și un curent de colector de 40A, acest tranzistor asigură o performanță remarcabilă în medii solicitante.
Carcasa TO247-3 permite o montare ușoară THT, fiind ideal pentru integrarea în circuite complexe. Datorită încărcăturii de poartă de 118nC și puterii disipate de 234W, tranzistorul oferă o eficiență energetică excelentă, reducând riscurile de supraîncălzire.
Specificații Cheie
- Tensiunea poartă - emitor: ±20V
- Curent de colector pulsat: 160A
Documentație Tranzistor IGBT 1,2kV 40A TO247-3 - Performanță Ridicată
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor IGBT 1,2kV 40A TO247-3 - Performanță Ridicată
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
