Tranzistor IGBT 650V 35A TO247-3 - Performanță de top
🔍 zoom- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Putere disipata
- 150W
- Carcasa
- TO247-3
- Curent de colector pulsat
- 120A
- Tensiune colector emitator
- 650V
Tranzistor: IGBT · 650V · 35A · 150W · TO247-3
- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Putere disipata
- 150W
- Carcasa
- TO247-3
- Curent de colector pulsat
- 120A
- Tensiune colector emitator
- 650V
Specificații Tranzistor IGBT 650V 35A TO247-3 - Performanță de top
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Montare | THT | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Putere disipata | 150W | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Curent de colector pulsat | 120A | |
| Tensiune colector emitator | 650V | |
| Curent de colector | 35A | |
| Incarcatura poarta | 125nC |
Descriere Tranzistor IGBT 650V 35A TO247-3 - Performanță de top
Tranzistorul IGBT NGTB35N65FL2WG de la ONSEMI este un component esențial pentru aplicații de putere, având o tensiune colector-emițător de 650V și un curent de colector de 35A.
Acest tranzistor se remarcă prin capacitatea sa de a disipa o putere de 150W, fiind ideal pentru utilizări în care eficiența și performanța sunt priorități. Montarea sa THT (Through-Hole Technology) facilitează integrarea în diverse circuituri electronice.
- Tensiunea poartă - emitor: ±20V
- Curent colector pulsat: 120A
Carcasa TO247-3 asigură un management eficient al căldurii, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații industriale și comerciale variate.
Documentație Tranzistor IGBT 650V 35A TO247-3 - Performanță de top
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor IGBT 650V 35A TO247-3 - Performanță de top
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
