🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Carcasa
- TO247-3
- Curent de colector
- 40A
- Curent de colector pulsat
- 120A
- Tensiune colector emitator
- 650V
Tranzistor: IGBT · 650V · 40A · 134W · TO247-3
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
63,97 RON / bucată
TVA inclus
52,87 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- IGBT
- Carcasa
- TO247-3
- Curent de colector
- 40A
- Curent de colector pulsat
- 120A
- Tensiune colector emitator
- 650V
Specificații Tranzistor IGBT ONSEMI 650V 40A TO247-3 - Performanță și Fiabilitate
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Montare | THT | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Curent de colector | 40A | |
| Curent de colector pulsat | 120A | |
| Tensiune colector emitator | 650V | |
| Incarcatura poarta | 36nC | |
| Putere disipata | 134W |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT ONSEMI 650V 40A TO247-3 - Performanță și Fiabilitate
Tranzistor IGBT ONSEMI 650V 40A TO247-3 - Performanță și Fiabilitate oferă o soluție robustă și eficientă pentru aplicații de comutație și control al puterii în domenii industriale și electronice. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor de tip IGBT este proiectat pentru a suporta o tensiune colector-emitor de până la 650V și un curent continuu de colector de 40A, asigurând performanțe stabile chiar și în condiții solicitante. Carcasa TO247-3 și montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea ușoară în circuite, în timp ce puterea disipată de 134W permite gestionarea eficientă a căldurii. Curentul de colector pulsat de 120A și încărcătura poartă de 36nC contribuie la o comutare rapidă și precisă, în timp ce tensiunea poartă-emitor de ±20V asigură protecție și control optim. Ambalajul tip tub oferă protecție suplimentară componentelor în timpul manipulării și transportului. Acest tranzistor IGBT este ideal pentru aplicații precum invertori, control motoare, surse de alimentare și sisteme de automatizare, oferind o combinație excelentă între performanță, durabilitate și eficiență energetică.
Documentație Tranzistor IGBT ONSEMI 650V 40A TO247-3 - Performanță și Fiabilitate
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor IGBT ONSEMI 650V 40A TO247-3 - Performanță și Fiabilitate
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus