Tranzistor N-MOSFET 600V 5A 65W

Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar 600V 5A Idm: 20A 65W de la SHINDENGEN este un produs de încredere, cu performanțe excelente. Acest tranzistor este potrivit pentru montare prin găuri trecătoare și vine în ambalaj vrac, având o carcasă FTO-220AG (SC91). Cu o putere disipată de 65W, acest tranzistor poate gestiona un curent de drenă în impuls de până la 20A. Polarizarea unipolară și curentul de drenă de 5A fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru diverse aplicații.

Tensiunea drenă-sursă de 600V și tensiunea poartă-sursă de ±30V asigură o funcționare stabilă și fiabilă. Cu o rezistență în timpul funcționării de 1,4Ω și un subtip de canal îmbogățit, acest tranzistor oferă performanțe superioare. Încărcătura poartă de 15nC și tehnologia Hi-PotMOS2 completează caracteristicile impresionante ale acestui produs de înaltă calitate. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 de la SHINDENGEN pentru rezultate remarcabile în proiectele dvs. electronice.