Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 600V 3A Idm 12A

Cod producător: P3F60HP2-5600
SHINDENGEN
Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 600V 3A Idm 12A🔍 zoom

Tranzistor: N-MOSFET · Hi-PotMOS2 · unipolar · 600V · 3A · Idm: 12A

În stoc
9,15 RON / bucată
TVA inclus
7,56 RON / bucată (fără TVA)
Expediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
Montare
THT
Subtip ambalaj
în vrac
Polarizare
unipolar
Tensiune poarta sursa
±30V
Subtip canal
îmbogăţit
Tensiune drena sursa
600V
Tip tranzistor
N-MOSFET
Curent drena
3A
+ încă 6 parametri în specificații →

Specificații Tranzistor N-MOSFET Hi-PotMOS2 600V 3A Idm 12A

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorSHINDENGEN
MontareTHT
Subtip ambalajîn vrac
Polarizareunipolar
Tensiune poarta sursa±30V
Subtip canalîmbogăţit
Tensiune drena sursa600V
Tip tranzistorN-MOSFET
Curent drena3A
Rezistenta in timpul functionarii2,3Ω
TehnologieHi-PotMOS2
CarcasaFTO-220AG (SC91)
Curent de drena in impuls12A
Incarcatura poarta10nC
Putere disipata52,5W
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Întrebări despre acest produs

Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.

Produse similare