N-MOSFET Tranzistor Unipolar 600V 4A

Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 unipolar de la SHINDENGEN este un produs de înaltă calitate, proiectat pentru a satisface cerințele celor mai exigente aplicații electronice. Acest tranzistor se remarcă prin caracteristicile sale de top, precum carcasa FTO-220AG (SC91) care permite o montare convenabilă, puterea disipată de 62,5W pentru o performanță optimă și un curent de drenă în impuls de 16A pentru o funcționare fiabilă în condiții de solicitare intensă.

Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și o tensiune poartă-sursă de ±30V, acest tranzistor oferă o rezistență în timpul funcționării de 1,8Ω, asigurând o eficiență ridicată și o durabilitate remarcabilă. Subtipul canal îmbogățit și încărcătura poartă de 12,5nC fac din acest tranzistor o alegere ideală pentru aplicații sensibile la performanță.

Cu tehnologia Hi-PotMOS2 și tipul N-MOSFET, acest tranzistor de la SHINDENGEN reprezintă soluția perfectă pentru proiectele electronice care necesită fiabilitate, eficiență și performanță superioară. Alegeți Tranzistorul N-MOSFET Hi-PotMOS2 pentru a beneficia de calitate și performanță de vârf în domeniul electronicelor.