Rezistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Cod producător: UJ3C065030T3S
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Curent de drena in impuls
- 230A
- Putere disipata
- 441W
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Curent drena
- 62A
- Tensiune drena sursa
- 650V
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET · SiC · unipolar · în cascadă · 650V · 62A
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
176,53 RON / bucată
TVA inclus
145,89 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Curent de drena in impuls
- 230A
- Putere disipata
- 441W
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Curent drena
- 62A
- Tensiune drena sursa
- 650V
Specificații Rezistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | UnitedSiC | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Curent de drena in impuls | 230A | |
| Putere disipata | 441W | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Curent drena | 62A | |
| Tensiune drena sursa | 650V | |
| Subtip tranzistor | în cascadă | |
| Tip tranzistor | N-JFET/N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 27mΩ | |
| Incarcatura poarta | 51nC | |
| Carcasa | TO220-3 |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Rezistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
UJ3C065030T3S este un tranzistor canal N THT, cu tehnologie SiC și tip tranzistor N-JFET/N-MOSFET, în carcasă TO220-3.
Produsul are tensiune drenă-sursă de 650V, curent de drenă de 62A și rezistență în timpul funcționării de 27mΩ. Montarea este THT, iar polarizarea este unipolară.
- Curent de drenă în impuls: 230A
- Putere disipată: 441W
- Tensiune poartă-sursă: ±25V
- Încărcătură poartă: 51nC
- Caracteristică: ESD protected gate
Producător: UnitedSiC / Qorvo (UnitedSiC).
Documentație Rezistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Recenzii Rezistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
Stoc limitat
Fără imagine
UnitedSiCUF3C065040K3S
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A
256,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SMC DIODE SOLUTIONSS2M0040120K-1
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 55A
176,31RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
WayoWMJ80N60EM
Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 48A Idm: 295A 430W
175,78RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
ONSEMINTH4L040N65S3F
Tranzistor N-MOSFET 650V 45A TO247
175,75RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IXYSIXFK80N65X2
Tranzistor N-MOSFET 650V 80A
175,30RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXTH110N10L2
Tranzistor N-MOSFET 100V 110A TO247-3
175,07RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BASiC SEMICONDUCTORB1M080120HC
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
174,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BASiC SEMICONDUCTORB1M080120HK
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
174,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC049
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 47A DIOTEC SEMICONDUCTOR TO247-3
174,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
MICROCHIP TECHNOLOGYAPT44F80B2
Tranzistor N-MOSFET unipolar 800V 29A MICROCHIP TECHNOLOGY
178,90RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
MicrochipAPT38F80B2
Rezistor N-MOSFET 800V 26A THT
173,72RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFK64N60P3
Tranzistor N-MOSFET 600V 64A TO264
173,51RON / bucTVA inclus