Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 90A TO-247 EVERLIGHT

Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 90A TO-247 EVERLIGHT reprezintă o soluție avansată, fabricată pentru performanțe ridicate și fiabilitate în aplicații ce necesită gestionarea unor curenți mari și tensiuni înalte. Producătorul EVERLIGHT asigură un produs robust, cu montare prin tehnologia THT și ambalat în tub, facilitând integrarea ușoară în diverse circuite. Carcasa TO-247-4 oferă disipare termică eficientă, susținută de o putere disipată de 465W, optimă pentru aplicații intensive. Tehnologia SiC conferă caracteristici superioare elementelor semiconductoare, inclusiv terminal Kelvin pentru o conexiune stabilă și performanță crescută. Tranzistorul dispune de un curent de drenă continuu de 90A și un curent de drenă în impuls de 231A, gestionând sarcini electrice considerabile. Tensiunea maximă drenă-sursă este de 1,2kV, iar tensiunea poartă-sursă variază între -4V și 18V, oferind flexibilitate în polarizare unipolară. Rezistența internă în timpul funcționării este scăzută, de doar 50mΩ, ceea ce reduce pierderile și crește eficiența energetică. Subtipul canalului este îmbogățit, iar încărcătura poartă este de 0,22µC, caracteristici care asigură un control precis și rapid al comutării. Tranzistorul N-MOSFET SiC 1,2kV 90A TO-247 EVERLIGHT este o componentă de înaltă calitate, proiectată pentru performanțe excepționale în domeniul electronicii de putere.