Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Cod producător: UJ3C065030K3S
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Curent de drena in impuls
- 230A
- Putere disipata
- 441W
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Curent drena
- 62A
- Tensiune drena sursa
- 650V
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET · SiC · unipolar · în cascadă · 650V · 62A
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
172,16 RON / bucată
TVA inclus
142,28 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Curent de drena in impuls
- 230A
- Putere disipata
- 441W
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Curent drena
- 62A
- Tensiune drena sursa
- 650V
Specificații Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | UnitedSiC | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Curent de drena in impuls | 230A | |
| Putere disipata | 441W | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Curent drena | 62A | |
| Tensiune drena sursa | 650V | |
| Subtip tranzistor | în cascadă | |
| Tip tranzistor | N-JFET/N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Carcasa | TO247-3 | |
| Incarcatura poarta | 51nC | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 30mΩ |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
UJ3C065030K3S este un tranzistor cu montare THT, tip N-JFET/N-MOSFET, realizat pe tehnologie SiC.
- Tensiune drenă-sursă: 650V
- Curent drenă: 62A
- Carcasă: TO247-3
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 30mΩ
- Tensiune poartă-sursă: ±25V
Include încărcătură poartă de 51nC, curent de drenă în impuls de 230A, putere disipată de 441W și caracteristică ESD protected gate.
Subtipul este în cascadă, iar produsul este realizat de UnitedSiC / Qorvo (UnitedSiC).
Documentație Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Recenzii Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
Stoc limitat
Fără imagine
UnitedSiCUF3C065040K3S
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A
256,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
WayoWMJ90N65F2
Tranzistor unipolar 650V 50A
171,99RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFH180N20X3
N-MOSFET 200V 180A TO247-3
172,64RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
MicrochipAPT44F80L
Tranzistor N-MOSFET 800V 29A TO264
172,85RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
DIOTEC SEMICONDUCTORDIF065SIC030
Tranzistor N-MOSFET SiC 650V 74A DIOTEC SEMICONDUCTOR TO247-4
171,37RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFK64N60P3
Tranzistor N-MOSFET 600V 64A TO264
173,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
MicrochipAPT38F80B2
Rezistor N-MOSFET 800V 26A THT
173,72RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
NEXPERIANSF040120L3A0Q
N-MOSFET SiC 1,2kV 46A THT
170,50RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFR44N50Q
Tranzistor N-MOSFET 500V 34A 313W ISOPLUS247™
169,62RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BASiC SEMICONDUCTORB1M080120HC
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
174,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BASiC SEMICONDUCTORB1M080120HK
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 27A
174,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
DIOTEC SEMICONDUCTORDIW170SIC049
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 47A DIOTEC SEMICONDUCTOR TO247-3
174,87RON / bucTVA inclus