Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Cod producător: UF3C065080K4S
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin / ESD protected gate
- Incarcatura poarta
- 43nC
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Subtip tranzistor
- în cascadă
- Tip tranzistor
- N-JFET/N-MOSFET
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET · SiC · unipolar · în cascadă · 650V · 23A
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
91,50 RON / bucată
TVA inclus
75,62 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin / ESD protected gate
- Incarcatura poarta
- 43nC
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Subtip tranzistor
- în cascadă
- Tip tranzistor
- N-JFET/N-MOSFET
Specificații Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | UnitedSiC | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin / ESD protected gate | |
| Incarcatura poarta | 43nC | |
| Tensiune drena sursa | 650V | |
| Subtip tranzistor | în cascadă | |
| Tip tranzistor | N-JFET/N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Carcasa | TO247-4 | |
| Curent drena | 23A | |
| Curent de drena in impuls | 65A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 80mΩ | |
| Putere disipata | 190W |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
UF3C065080K4S este un tranzistor cu tip N-JFET/N-MOSFET, realizat pe tehnologie SiC, în carcasă TO247-4, pentru montare THT.
Structura în cascadă include terminal Kelvin și poartă protejată ESD, iar parametrii electrici declarați includ tensiunea drenă-sursă de 650V și tensiunea poartă-sursă de ±25V.
- Curent drenă: 23A
- Curent de drenă în impuls: 65A
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 80mΩ
- Încărcătură poartă: 43nC
- Putere disipată: 190W
Produsul este realizat de UnitedSiC, producător menționat și ca Qorvo (UnitedSiC).
Documentație Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Recenzii Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
Stoc limitat
Fără imagine
UnitedSiCUF3C065040K3S
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A
256,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFP90N20X3
Tranzistor N-MOSFET 200V 90A TO220AB
91,60RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
STMicroelectronicsSTP57N65M5
Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ M5 650V 26,5A STMicroelectronics
91,39RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFH10N100P
Tranzistor N-MOSFET Polar™ 1kV 10A 380W TO247-3
91,72RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXTP150N15X4
N-MOSFET 150V 150A 480W TO220AB
91,27RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFH230N10T
Tranzistor N-MOSFET 100V 230A
91,95RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFH14N80P
Tranzistor N-MOSFET 800V 14A TO247-3
90,94RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
INFINEON TECHNOLOGIESIPW60R037P7XKSA1
Tranzistor N-MOSFET 600V 48A
90,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
ONSEMIFDH44N50
Tranzistor N-MOSFET 500V 44A 750W TO247 Unipolar
92,15RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
STMicroelectronicsSTW12N120K5
Tranzistor N-MOSFET 1200V 7,6A MDmesh™ K5 - STMicroelectronics
92,15RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
STMicroelectronicsSTW15NK90Z
Tranzistor N-MOSFET 900V 9,5A 350W TO247 ESD
90,74RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
ONSEMINTHL041N60S5H
Tranzistor N-MOSFET 600V 36A TO247
90,68RON / bucTVA inclus