Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ K5 1200V 7,6A 40W ESD STMicroelectronics

Tranzistor N-MOSFET MDmesh™ K5 1200V 7,6A 40W ESD STMicroelectronics este soluția ideală pentru aplicații ce necesită comutare eficientă și fiabilitate ridicată în medii cu tensiuni înalte. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor unipolar N-MOSFET utilizează tehnologia avansată MDmesh™ K5, oferind o tensiune drenă-sursă de 1200V și un curent maxim de drenă de 7,6A, asigurând performanțe superioare în circuite de putere. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 690mΩ, dispozitivul minimizează pierderile de energie și crește eficiența sistemului. Carcasa TO220FP și montarea prin tehnologia THT facilitează integrarea și disiparea termică optimă, susținând o putere disipată de 40W. Versiunea ESD oferă protecție suplimentară împotriva descărcărilor electrostatice, sporind durabilitatea și stabilitatea în exploatare. Tensiunea poartă-sursă de ±30V și canalul îmbogățit asigură o polarizare precisă și control facil al comutării. Ambalat în tub, acest tranzistor este alegerea perfectă pentru proiecte industriale și electronice ce solicită componente robuste, eficiente și cu performanțe garantate în timp.