🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin / ESD protected gate
- Curent de drena in impuls
- 230A
- Putere disipata
- 441W
- Incarcatura poarta
- 43nC
- Curent drena
- 62A
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET · SiC · unipolar · în cascadă · 650V · 62A
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
179,07 RON / bucată
TVA inclus
147,99 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin / ESD protected gate
- Curent de drena in impuls
- 230A
- Putere disipata
- 441W
- Incarcatura poarta
- 43nC
- Curent drena
- 62A
Specificații Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | UnitedSiC | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin / ESD protected gate | |
| Curent de drena in impuls | 230A | |
| Putere disipata | 441W | |
| Incarcatura poarta | 43nC | |
| Curent drena | 62A | |
| Tensiune drena sursa | 650V | |
| Subtip tranzistor | în cascadă | |
| Tip tranzistor | N-JFET/N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Carcasa | TO247-4 | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 27mΩ |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V
UF3C065030K4S este un tranzistor de tip N-JFET/N-MOSFET, cu tehnologie SiC și montare THT. Carcasa este TO247-4, iar subtipul tranzistorului este în cascadă.
- Curent de drenă: 62A
- Tensiune drenă-sursă: 650V
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 27mΩ
- Curent de drenă în impuls: 230A
- Încărcătură poartă: 43nC
Componenta include terminal Kelvin și poartă protejată ESD. Tensiunea poartă-sursă este ±25V, iar puterea disipată este 441W.
Documentație Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A
Recenzii Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 62A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
Stoc limitat
Fără imagine

UnitedSiCUF3C065040K3S
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A
256,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

MICROCHIP TECHNOLOGYAPT44F80B2
Tranzistor N-MOSFET unipolar 800V 29A MICROCHIP TECHNOLOGY
178,90RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

IXYSIXKR47N60C5
N-MOSFET 600V 47A ISOPLUS247™
179,77RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

EVERLIGHTEL-MAKR02120PA
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 90A TO-247 EVERLIGHT
180,12RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

WayoWMJ99N60F2
N-MOSFET WMOS™ F2 Unipolar 600V 60A - Transistor de putere unipolar
180,45RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

IXYSIXFK420N10T
Tranzistor N-MOSFET GigaMOS™ 100V 420A 1670W TO264 - Tranzistor de putere N-MOSFET
181,43RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

IXYSIXFL32N120P
N-MOSFET 1,2kV 24A THT
181,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

SMC DIODE SOLUTIONSS2M0040120K-1
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 55A
176,31RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

WayoWMJ80N60EM
Tranzistor N-MOSFET unipolar 600V 48A Idm: 295A 430W
175,78RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMINTH4L040N65S3F
Tranzistor N-MOSFET 650V 45A TO247
175,75RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

IXYSIXFK80N65X2
Tranzistor N-MOSFET 650V 80A
175,30RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

IXYSIXTH110N10L2
Tranzistor N-MOSFET 100V 110A TO247-3
175,07RON / bucTVA inclus