Tranzistor N-JFET THT, TO92, 5mA, 0,625W
🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip ambalaj
- bandă
- Curent de poarta
- 50mA
- Tip tranzistor
- N-JFET
- Carcasa
- TO92
- Rezistenta in timpul functionarii
- 50Ω
- Putere disipata
- 0,625W
Tranzistor: N-JFET · unipolar · 5mA · 0,625W · TO92 · Igt: 50mA
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip ambalaj
- bandă
- Curent de poarta
- 50mA
- Tip tranzistor
- N-JFET
- Carcasa
- TO92
- Rezistenta in timpul functionarii
- 50Ω
- Putere disipata
- 0,625W
Specificații Tranzistor N-JFET THT, TO92, 5mA, 0,625W
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip ambalaj | bandă | |
| Curent de poarta | 50mA | |
| Tip tranzistor | N-JFET | |
| Carcasa | TO92 | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 50Ω | |
| Putere disipata | 0,625W | |
| Tensiune poarta sursa | -35V | |
| Curent drena | 5mA |
Descriere Tranzistor N-JFET THT, TO92, 5mA, 0,625W
J112-D26Z este un tranzistor N-JFET cu polarizare unipolară, destinat montării THT, în carcasă TO92. Produsul este realizat de ONSEMI și face parte din categoria tranzistori canal N THT.
Din specificațiile disponibile reies următoarele valori: curent de drenă 5mA, putere disipată 0,625W, rezistență în timpul funcționării 50Ω, tensiune poartă-sursă -35V și curent de poartă 50mA.
Subtipul de ambalaj este bandă, conform datelor furnizate. Informațiile de mai sus oferă o prezentare tehnică clară pentru identificarea corectă a componentei.
Documentație Tranzistor N-JFET THT, TO92, 5mA, 0,625W
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-JFET THT, TO92, 5mA, 0,625W
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
