Tranzistor N-JFET ONSEMI J109 40mA 0,625W TO92 Igt 10mA

Tranzistor N-JFET ONSEMI J109 40mA 0,625W TO92 Igt 10mA este un component electronic de înaltă calitate, ideal pentru aplicații ce necesită un tranzistor unipolar de tip N-JFET. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor dispune de o putere disipată de 0,625W și un curent maxim de drenă de 40mA, asigurând performanțe stabile și fiabile.

• Producător: ONSEMI


• Subtip ambalaj: bandă


• Putere disipată: 0,625W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO92


• Curent de poartă: 10mA


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 40mA


• Tensiune poartă-sursă: -25V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 12Ω


• Tip tranzistor: N-JFET

Datorită carcasei TO92 și montajului THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse circuite electronice, fiind potrivit atât pentru proiecte de laborator, cât și pentru aplicații industriale. Curentul de poartă de 10mA și tensiunea poartă-sursă de -25V oferă un control precis al semnalului, iar rezistența de 12Ω asigură o funcționare eficientă și stabilă.