🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 278W
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 600V · 37,9A · 278W · PG-TO247-3
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 278W
Specificații Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A - THT - PG-TO247-3
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 600V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Putere disipata | 278W | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 99mΩ | |
| Tehnologie | CoolMOS™ C6 | |
| Carcasa | PG-TO247-3 | |
| Curent drena | 37,9A |
Descriere Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A - THT - PG-TO247-3
Descoperiți Tranzistorul N-MOSFET de la INFINEON TECHNOLOGIES, un component esențial pentru aplicații de înaltă putere. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent drenă de 37,9A, acest tranzistor este ideal pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Tehnologia CoolMOS™ C6 asigură o eficiență superioară, iar rezistența în timpul funcționării de 99mΩ garantează performanțe excelente. Montarea se face prin tehnologia THT, iar carcasa PG-TO247-3 facilitează integrarea în diverse aplicații.
Specificații cheie:
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Putere disipată: 278W
Documentație Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A - THT - PG-TO247-3
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A - THT - PG-TO247-3
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare











