Tranzistor N-MOSFET INFINEON 200V 130A 520W IRFP4668PBFXKMA1 TO247AC

Tranzistor N-MOSFET INFINEON 200V 130A 520W IRFP4668PBFXKMA1 TO247AC este un component electronic de înaltă performanță, proiectat pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, acest tranzistor utilizează tehnologia HEXFET® și oferă o putere disipată de 520W, fiind ideal pentru circuite cu cerințe mari de putere.

• Producător: INFINEON TECHNOLOGIES


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 520W


• Montare: THT


• Carcasă: TO247AC


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 130A


• Tensiune drenă-sursă: 200V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 9,7mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 161nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: HEXFET®

Carcasa TO247AC și montarea THT asigură o instalare robustă și o disipare termică eficientă, în timp ce caracteristicile electrice permit utilizarea în aplicații industriale, surse de alimentare și sisteme de control al motoarelor. Cu o rezistență scăzută în timpul funcționării și o capacitate mare de curent, acest tranzistor este soluția optimă pentru proiecte ce necesită fiabilitate și performanță superioară.