Tranzistor N-MOSFET 900V 4,4A 120W TO3PF - ONSEMI
🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Putere disipata
- 120W
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Incarcatura poarta
- 80nC
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 900V · 4,4A · 120W · TO3PF
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Putere disipata
- 120W
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Incarcatura poarta
- 80nC
Specificații Tranzistor N-MOSFET 900V 4,4A 120W TO3PF - ONSEMI
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Putere disipata | 120W | |
| Tensiune poarta sursa | ±30V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Incarcatura poarta | 80nC | |
| Tensiune drena sursa | 900V | |
| Carcasa | TO3PF | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 1,1Ω | |
| Curent drena | 4,4A | |
| Tehnologie | QFET® |
Descriere Tranzistor N-MOSFET 900V 4,4A 120W TO3PF - ONSEMI
Tranzistorul N-MOSFET FQAF11N90C de la ONSEMI este un component esențial pentru aplicații de putere, având o tensiune maximă de drenă-sursă de 900V și un curent maxim de 4,4A. Cu o putere disipată de 120W, acest tranzistor este ideal pentru circuite care necesită fiabilitate și performanță ridicată.
Acest tranzistor unipolar, cu montare THT, beneficiază de tehnologia QFET®, asigurând o rezistență în timpul funcționării de doar 1,1Ω. Tensiunea poartă-sursă este de ±30V, iar încărcătura poartă de 80nC, ceea ce îl face potrivit pentru o gamă variată de aplicații electronice.
Specificații tehnice:
- Tip: N-MOSFET
- Carcasă: TO3PF
- Subtip canal: îmbogățit
Documentație Tranzistor N-MOSFET 900V 4,4A 120W TO3PF - ONSEMI
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 900V 4,4A 120W TO3PF - ONSEMI
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
