Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDP036N10A 100V 214A TO220-3

Tranzistor N-MOSFET ONSEMI FDP036N10A 100V 214A TO220-3 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor N-MOSFET cu canal îmbogățit oferă o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 3,6mΩ, asigurând o disipare a puterii de până la 333W.

• Producător: ONSEMI


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 333W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO220-3


• Curent de drenă în impuls: 856A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 214A


• Tensiune drenă-sursă: 100V


• Tensiune poartă-sursă: ±20V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 3,6mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 89nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Datorită caracteristicilor sale tehnice avansate și carcasei TO220-3, tranzistorul FDP036N10A este potrivit pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare DC-DC, motoare electrice și alte aplicații industriale ce necesită un control precis al curentului și tensiunii.