Tranzistor N-MOSFET PanJit 600V 13,8A PJMF280N60E1 - Performanță Ridicată 34W

Tranzistorul N-MOSFET PanJit 600V 13,8A PJMF280N60E1 este o soluție performantă și fiabilă pentru aplicații electronice ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de PanJit Semiconductor, acest dispozitiv oferă o putere disipată de 34W și suportă un curent de drenă continuu de 13,8A, cu un curent de drenă în impuls de până la 41,4A.

• Producător: PanJit Semiconductor


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 34W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: ITO220AB


• Curent de drenă în impuls: 41,4A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 13,8A


• Tensiune drenă-sursă: 600V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,28Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 27nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Acest tranzistor este ideal pentru circuite de putere, surse de alimentare, convertoare și alte aplicații ce necesită o tensiune de lucru ridicată și o disipare eficientă a căldurii. Montajul THT și carcasa ITO220AB asigură o instalare robustă și o răcire optimă.