Tranzistor N-MOSFET PanJit 650V 13,8A PJMF280N65E1_T0_00001

Tranzistor N-MOSFET PanJit 650V 13,8A PJMF280N65E1_T0_00001 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de PanJit Semiconductor, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune maximă drenă-sursă de 650V și un curent de drenă continuu de 13,8A, asigurând o putere disipată de 35,7W. Montarea se realizează prin tehnologia THT, iar carcasa ITO220AB oferă o disipare termică eficientă. Cu un curent de drenă în impuls de 41,4A și o rezistență în timpul funcționării de doar 0,28Ω, acest dispozitiv este potrivit pentru aplicații ce necesită fiabilitate și performanță. Polarizarea unipolară și subtipul canalului îmbogățit permit o funcționare stabilă, iar încărcătura poartă de 30nC asigură un control precis al comutării. Cod producător: PJMF280N65E1_T0_00001.

• Producător: PanJit Semiconductor


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 35,7W


• Montare: THT


• Carcasă: ITO220AB


• Curent de drenă în impuls: 41,4A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 13,8A


• Tensiune drenă-sursă: 650V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 0,28Ω


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 30nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET