Tranzistor N-MOSFET IXYS IXFX64N50P 500V 64A 830W PLUS247™

Tranzistor N-MOSFET IXYS IXFX64N50P 500V 64A 830W PLUS247™ este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de IXYS, acest tranzistor N-MOSFET dispune de o tensiune drenă-sursă de 500V și un curent maxim de drenă de 64A, asigurând o putere disipată de până la 830W.

• Producător: IXYS


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 830W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: PLUS247™


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 64A


• Tensiune drenă-sursă: 500V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 85mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 150nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Datorită carcasei robuste PLUS247™ și tehnologiei de montare THT, acest tranzistor oferă o disipare termică excelentă și o fiabilitate sporită în circuite de putere. Rezistența scăzută în timpul funcționării și încărcătura redusă a porții permit o comutare eficientă, reducând pierderile și îmbunătățind performanța generală a sistemului.