Tranzistor N-MOSFET 150V 180A TO264
🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Carcasa
- TO264
- Putere disipata
- 800W
- Tehnologie
- Polar™
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Tranzistor: N-MOSFET · Polar™ · unipolar · 150V · 180A · 800W · TO264
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Carcasa
- TO264
- Putere disipata
- 800W
- Tehnologie
- Polar™
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
Specificații Tranzistor N-MOSFET 150V 180A TO264
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | IXYS | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Carcasa | TO264 | |
| Putere disipata | 800W | |
| Tehnologie | Polar™ | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 11mΩ | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Incarcatura poarta | 240nC | |
| Tensiune drena sursa | 150V | |
| Curent drena | 180A | |
| Timp de restabilire | 150ns |
Descriere Tranzistor N-MOSFET 150V 180A TO264
Tranzistor N-MOSFET 150V
IXTK180N15P este un tranzistor N-MOSFET cu polarizare unipolară, realizat cu tehnologia Polar™ și încadrat în categoria tranzistori canal N THT. Carcasa TO264 și montarea THT îl definesc ca componentă pentru asamblare prin găuri.
Specificațiile declarate pentru acest model includ tensiune drenă-sursă de 150V, curent drenă de 180A și putere disipată de 800W. Mai sunt precizate rezistența în timpul funcționării de 11mΩ, tensiunea poartă-sursă de ±20V, încărcătura poartă de 240nC și timpul de restabilire de 150ns.
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Subtip canal: îmbogăţit
- Carcasă: TO264
- Montare: THT
- Putere disipată: 800W
Produsul este fabricat de IXYS și este livrat în subtip de ambalaj tub.
Documentație Tranzistor N-MOSFET 150V 180A TO264
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 150V 180A TO264
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(5)
