Modul IGBT Semipunte INFINEON F4150R12KS4BOSA1 150A x2

Modul IGBT Semipunte INFINEON F4150R12KS4BOSA1 150A x2 este un modul semiconductor de înaltă performanță, fabricat de INFINEON TECHNOLOGIES, proiectat pentru aplicații industriale ce necesită fiabilitate și eficiență energetică. Acest modul dispune de o topologie semipunte IGBT dublă, cu o structură tranzistor/tranzistor, asigurând un curent de colector de 150A și un curent pulsat de până la 300A, ideal pentru controlul puterii în sisteme complexe.

Carcasa robustă AG-ECONO3-4 și montarea electrică Press-in PCB, împreună cu montarea mecanică prin înșurubare, oferă o instalare sigură și durabilă. Modulul suportă o tensiune inversă maximă de 1,2kV și o tensiune poartă-emitor de ±20V, fiind construit pe tehnologia avansată EconoPACK™ 3 pentru disipare termică optimă, cu o putere disipată de 960W.

Caracteristici principale:

• Producător: INFINEON TECHNOLOGIES
• Putere disipată: 960W
• Topologie: Termistor NTC, semipunte IGBT x2
• Carcasă: AG-ECONO3-4
• Montare electrică: Press-in PCB
• Montare mecanică: înșurubare
• Tensiune inversă max.: 1,2kV
• Structura semiconductorului: tranzistor/tranzistor
• Curent de colector pulsat: 300A
• Tensiunea poartă - emitor: ±20V
• Curent de colector: 150A
• Tehnologie: EconoPACK™ 3
• Tip modul semiconductor: IGBT

Acest modul IGBT este soluția ideală pentru aplicații de comutare rapidă și control precis al puterii, asigurând performanțe ridicate și durabilitate în medii industriale exigente.