🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Subtip tranzistor
- în cascadă
- Tip tranzistor
- N-JFET/N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
Tranzistor: N-JFET/N-MOSFET · SiC · unipolar · în cascadă · 650V · 23A
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
53,63 RON / bucată
TVA inclus
44,32 RON / bucată (fără TVA)
Cantitate minimă comandă: 1000 buc, în multipli de 1000 buc.Valori valide: 1000, 2000, 3000, …
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Caracteristici elemente semiconductoare
- ESD protected gate
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Subtip tranzistor
- în cascadă
- Tip tranzistor
- N-JFET/N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
Specificații Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | UnitedSiC | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | ESD protected gate | |
| Tensiune drena sursa | 650V | |
| Subtip tranzistor | în cascadă | |
| Tip tranzistor | N-JFET/N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Curent drena | 23A | |
| Curent de drena in impuls | 65A | |
| Incarcatura poarta | 51nC | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 80mΩ | |
| Putere disipata | 190W |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A
UJ3C065080T3S este un tranzistor cu montare THT, de tip N-JFET/N-MOSFET, realizat pe tehnologie SiC. Are tensiune drenă-sursă de 650V și este prevăzut cu poartă protejată ESD.
- Montare: THT
- Polarizare: unipolar
- Curent drenă: 23A
- Curent de drenă în impuls: 65A
- Carcasă: TO220-3
Parametrii suplimentari incluși în fișa produsului sunt: tensiune poartă-sursă ±25V, încărcătură poartă 51nC, rezistenţă în timpul funcţionării 80mΩ și putere disipată 190W.
Producătorul indicat pentru acest model este UnitedSiC / Qorvo (UnitedSiC).
Documentație Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A
Recenzii Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 23A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
Stoc limitat
Fără imagine

UnitedSiCUF3C065040K3S
Tranzistor N-JFET/N-MOSFET SiC 650V 40A
256,67RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

WayoWMJ28N60F2
Tranzistor N-MOSFET WMOS™ F2 600V 13A 65A 160W
53,74RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

IXYSIXFP4N85X
Tranzistor N-MOSFET 850V 3.5A
53,41RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

INFINEON TECHNOLOGIESIPW60R125CPFKSA1
Tranzistor N-MOSFET 600V 25A 208W PG-TO247-3 INFINEON
53,41RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

STMicroelectronicsSTP12NM50
Tranzistor N-MOSFET 500V 7,5A TO220-3
53,40RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

WayoWMJ40N50D1
Tranzistor N-MOSFET 500V 40A
53,87RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

IXYSIXFP12N65X2
Tranzistor N-MOSFET 650V 12A TO220AB
53,95RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

VISHAYIRFP250PBF
Tranzistor N-MOSFET 200V 19A TO247AC
53,95RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

ONSEMIFCPF20N60
N-MOSFET 600V 12,5A TO220FP
53,30RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

STMicroelectronicsSTP11NM80
Tranzistor N-MOSFET 800V 11A TO220-3
53,97RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine

IXYSIXTP170N075T2
N-MOSFET 75V 170A TO220AB
53,28RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine

MICROCHIP TECHNOLOGYMSC750SMA170B
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,7kV 5A 68W TO247 MICROCHIP
53,20RON / bucTVA inclus