N-MOSFET 650V 26.5A TO247-4
Cod producător: STW57N65M5-4
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin / ESD protected gate
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Carcasa
- TO247-4
Tranzistor: N-MOSFET · MDmesh™ V · unipolar · 650V · 26,5A · 250W
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
56,22 RON / bucată
TVA inclus
46,46 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin / ESD protected gate
- Tensiune drena sursa
- 650V
- Tensiune poarta sursa
- ±25V
- Carcasa
- TO247-4
Specificații N-MOSFET 650V 26.5A TO247-4
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin / ESD protected gate | |
| Tensiune drena sursa | 650V | |
| Tensiune poarta sursa | ±25V | |
| Carcasa | TO247-4 | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 250W | |
| Tehnologie | MDmesh™ V | |
| Curent drena | 26.5A / 26,5A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 56mΩ |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere N-MOSFET 650V 26.5A TO247-4
N-MOSFET 650V
N-MOSFET-ul STW57N65M5-4 este un component semiconductor THT, cu montare în carcasă TO247-4 și tehnologie MDmesh™ V.
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tensiune drenă-sursă: 650V
- Curent drenă: 26.5A
- Putere disipată: 250W
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 56mΩ
Produsul are polarizare unipolară, subtip canal îmbogăţit, terminal Kelvin și poartă protejată ESD. Tensiunea poartă-sursă este ±25V.
Documentație N-MOSFET 650V 26.5A TO247-4
Recenzii N-MOSFET 650V 26.5A TO247-4
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus