Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A
Cod producător: MSC080SMA120B4
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
- Rezistenta in timpul functionarii
- 0.1Ω / 0,1Ω
- Carcasa
- TO247-4
Tranzistor: N-MOSFET · SiC · unipolar · 1,2kV · 26A · Idm: 90A · 200W
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
97,71 RON / bucată
TVA inclus
80,75 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tehnologie
- SiC
- Tensiune drena sursa
- 1.2kV / 1,2kV
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Caracteristici elemente semiconductoare
- terminal Kelvin
- Rezistenta in timpul functionarii
- 0.1Ω / 0,1Ω
- Carcasa
- TO247-4
Specificații Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | Microchip | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tehnologie | SiC | |
| Tensiune drena sursa | 1.2kV / 1,2kV | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | terminal Kelvin | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0.1Ω / 0,1Ω | |
| Carcasa | TO247-4 | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 200W | |
| Curent de drena in impuls | 90A | |
| Curent drena | 26A | |
| Incarcatura poarta | 64nC |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A
Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV
MSC080SMA120B4 este un tranzistor N-MOSFET cu tehnologie SiC, polarizare unipolară și subtip canal îmbogăţit. Este livrat în carcasă TO247-4 și are montare THT.
Specificaţiile sale includ tensiune drenă-sursă de 1,2kV, curent de drenă de 26A și putere disipată de 200W.
- Tehnologie: SiC
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Carcasă: TO247-4
- Montare: THT
- Caracteristici: terminal Kelvin
Alte valori indicate sunt curent drenă în impuls de 90A, încărcătură poartă de 64nC și rezistenţă în timpul funcţionării de 0,1Ω.
Documentație Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 26A
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(47)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
442,41RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,44RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,91RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKSK 456 60 3 X M3 L
Radiator extrudat cu aripioare 40mm
85,33RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-225/50,8/SW/V/I
Radiator extrudat U, aluminiu anodizat
103,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-195/25,4/SW
Radiator extrudat cu aripioare negru
78,84RON / bucTVA inclus