Modul MOSFET 100V 210A 830W SOT227B
Cod producător: IXTN210P10T
🔍 zoomSpecificații cheie
- Montare mecanica
- înşurubare
- Montare electrica
- înşurubare
- Polarizare
- unipolar
- Tip modul
- cu tranzistor MOSFET
- Structura semiconductorului
- mono-tranzistor
- Carcasa
- SOT227B
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Putere disipata
- 830W
Modul · mono-tranzistor · -100V · -210A · SOT227B · înşurubare · 830W
Lipsă stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
346,53 RON / bucată
TVA inclus
286,39 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Montare mecanica
- înşurubare
- Montare electrica
- înşurubare
- Polarizare
- unipolar
- Tip modul
- cu tranzistor MOSFET
- Structura semiconductorului
- mono-tranzistor
- Carcasa
- SOT227B
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Putere disipata
- 830W
Specificații Modul MOSFET 100V 210A 830W SOT227B
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | IXYS | |
| Montare mecanica | înşurubare | |
| Montare electrica | înşurubare | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tip modul | cu tranzistor MOSFET | |
| Structura semiconductorului | mono-tranzistor | |
| Carcasa | SOT227B | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Putere disipata | 830W | |
| Timp de restabilire | 200ns | |
| Curent de drena in impuls | -800A | |
| Incarcatura poarta | 740nC | |
| Tehnologie | TrenchP™ | |
| Curent drena | -210A | |
| Tensiune drena sursa | -100V | |
| Tensiune poarta sursa | ±15V | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 7.5mΩ / 7,5mΩ |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Modul MOSFET 100V 210A 830W SOT227B
Modul MOSFET 100V, 210A
IXTN210P10T este un modul cu tranzistor MOSFET, cu structură mono-tranzistor și subtip canal îmbogăţit. Carcasa este SOT227B, iar montarea mecanică și electrică se face prin înşurubare.
- Tensiune drenă-sursă: -100V
- Curent drenă: -210A
- Putere disipată: 830W
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 7,5mΩ
- Tensiune poartă-sursă: ±15V
Modelul folosește tehnologia TrenchP™ și are curent de drenă în impuls de -800A, încărcătură poartă de 740nC și timp de restabilire de 200ns.
Documentație Modul MOSFET 100V 210A 830W SOT227B
Recenzii Modul MOSFET 100V 210A 830W SOT227B
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
În stoc
Fără imagine
IXYSIXFN210N20P
Modul IXYS IXFN210N20P mono-tranzistor 200V 188A SOT227B înşurubare Idm 600A
334,69RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN100N50P
Modul MOSFET 500V 75A SOT227B
323,32RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN210N30X3
Modul MOSFET 300V 210A SOT227B
374,22RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN26N120P
Modul Tranzistor 1,2kV 23A SOT227B
310,39RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN26N100P
Modul Tranzistor MOSFET 1kV 23A
300,93RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN132N50P3
Modul tranzistor MOSFET 500V 112A
273,58RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN420N10T
Modul mono-tranzistor IXYS 100V 420A SOT227B cu înşurubare și Idm 1kA
262,63RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN180N25T
Modul MOSFET 250V 168A SOT227B
245,15RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN44N100Q3
Modul Tranzistor MOSFET 1kV 38A
462,40RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IXYSIXFN180N15P
Modul MOSFET 150V 150A SOT227B
227,07RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
IXYSIXFN40N110P
Modul MOSFET 1.1kV 34A înșurubare
198,57RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
IXYSIXFN360N10T
Modul mono-tranzistor IXYS 100V 360A SOT227B Idm: 900A
194,11RON / bucTVA inclus