Tranzistor IGBT 2,5kV 2A TO268
Cod producător: IXBT2N250
🔍 zoomSpecificații cheie
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Subtip ambalaj
- tub
- Tehnologie
- BiMOSFET™
- Caracteristici elemente semiconductoare
- de tensiune înaltă
- Tip tranzistor
- IGBT
- Putere disipata
- 32W
- Tensiune colector emitator
- 2.5kV / 2,5kV
Tranzistor: IGBT · BiMOSFET™ · 2,5kV · 2A · 32W · TO268
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
175,84 RON / bucată
TVA inclus
145,32 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Subtip ambalaj
- tub
- Tehnologie
- BiMOSFET™
- Caracteristici elemente semiconductoare
- de tensiune înaltă
- Tip tranzistor
- IGBT
- Putere disipata
- 32W
- Tensiune colector emitator
- 2.5kV / 2,5kV
Specificații Tranzistor IGBT 2,5kV 2A TO268
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | IXYS | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Montare | SMD | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tehnologie | BiMOSFET™ | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Putere disipata | 32W | |
| Tensiune colector emitator | 2.5kV / 2,5kV | |
| Curent de colector | 2A | |
| Carcasa | TO268 | |
| Incarcatura poarta | 10.6nC / 10,6nC | |
| Curent de colector pulsat | 13A | |
| Timp activare | 310ns | |
| Timp dezactivare | 252ns |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT 2,5kV 2A TO268
Tranzistor IGBT cu tensiune colector-emitor 2.5kV
IXBT2N250 este un tranzistor IGBT BiMOSFET™ de la IXYS, cu montare SMD și carcasă TO268.
Este definit prin tensiune colector-emițător de 2.5kV, curent de colector de 2A și putere disipată de 32W.
- Tensiune poartă-emitor: ±20V
- Încărcătură poartă: 10.6nC
- Curent de colector pulsat: 13A
- Timp activare: 310ns
- Timp dezactivare: 252ns
Subtipul de ambalaj este tub, iar componenta este încadrată la tranzistori IGBT SMD, cu caracteristici de tensiune înaltă.
Documentație Tranzistor IGBT 2,5kV 2A TO268
Recenzii Tranzistor IGBT 2,5kV 2A TO268
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(10)
1 / 2
În stoc
Fără imagine
BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
OHMITEDA-T268-401E-TR
Radiator extrudat negru pentru TO268
21,97RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus