Tranzistor IGBT 1,7kV 10A TO268
Cod producător: IXBT16N170A
🔍 zoomSpecificații cheie
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Curent de colector pulsat
- 40A
- Subtip ambalaj
- tub
- Tehnologie
- BiMOSFET™
- Caracteristici elemente semiconductoare
- de tensiune înaltă
- Tip tranzistor
- IGBT
- Curent de colector
- 10A
Tranzistor: IGBT · BiMOSFET™ · 1,7kV · 10A · 150W · TO268
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
121,24 RON / bucată
TVA inclus
100,20 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Tensiunea poarta emitor
- ±20V
- Montare
- SMD
- Curent de colector pulsat
- 40A
- Subtip ambalaj
- tub
- Tehnologie
- BiMOSFET™
- Caracteristici elemente semiconductoare
- de tensiune înaltă
- Tip tranzistor
- IGBT
- Curent de colector
- 10A
Specificații Tranzistor IGBT 1,7kV 10A TO268
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | IXYS | |
| Tensiunea poarta emitor | ±20V | |
| Montare | SMD | |
| Curent de colector pulsat | 40A | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tehnologie | BiMOSFET™ | |
| Caracteristici elemente semiconductoare | de tensiune înaltă | |
| Tip tranzistor | IGBT | |
| Curent de colector | 10A | |
| Tensiune colector emitator | 1.7kV / 1,7kV | |
| Putere disipata | 150W | |
| Carcasa | TO268 | |
| Incarcatura poarta | 65nC | |
| Timp activare | 43ns | |
| Timp dezactivare | 370ns |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor IGBT 1,7kV 10A TO268
Tranzistor IGBT 1,7kV
IXBT16N170A este un tranzistor IGBT din gama IXYS, cu tehnologie BiMOSFET™ și montare SMD. Este încadrat în categoria Tranzistori IGBT SMD și are carcasă TO268.
Specificațiile declarate includ tensiune colector-emitor de 1,7kV, curent de colector de 10A și putere disipată de 150W. Pentru comutare, sunt indicate o încărcătură poartă de 65nC, timp de activare de 43ns și timp de dezactivare de 370ns.
- Tensiune poartă-emitor: ±20V
- Curent de colector pulsat: 40A
- Tip tranzistor: IGBT
- Carcasă: TO268
- Subtip ambalaj: tub
Produsul este descris ca element semiconductor de tensiune înaltă, cu montare SMD.
Documentație Tranzistor IGBT 1,7kV 10A TO268
Recenzii Tranzistor IGBT 1,7kV 10A TO268
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(10)
1 / 2
În stoc
Fără imagine
BERNSTEIN5-067-13
Pensetă ESD nemagnetică, vârf curbat
183,36RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
BERNSTEIN5-068-13
Pensetă ESD trapezoidală, nemagnetică
183,36RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
BERNSTEIN5-062-13
Pensetă îndoită 35° SMD ESD
142,51RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
OHMITEDA-T268-401E-TR
Radiator extrudat negru pentru TO268
21,97RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
FISCHER ELEKTRONIKFK 251 10 LF PAK
Radiator Cupru SMT 13x15x10mm 24K/W
9,61RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
PIERGIACOMI5 SA ESD
Pensetă PIERGIACOMI ESD 110mm vârf ascuțit pentru precizie SMD
88,50RON / bucTVA inclus