🔍 zoomSpecificații cheie
- Tehnologie
- Trench
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune drena sursa
- -100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 94W
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
Tranzistor: P-MOSFET · Trench · unipolar · -100V · -34A · 94W · TO252
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
11,46 RON / bucată
TVA inclus
9,47 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Tehnologie
- Trench
- Polarizare
- unipolar
- Montare
- SMD
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Tensiune drena sursa
- -100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 94W
- Tip tranzistor
- P-MOSFET
Specificații P-MOSFET -100V TO252
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | GOFORD SEMICONDUCTOR | |
| Tehnologie | Trench | |
| Polarizare | unipolar | |
| Montare | SMD | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Tensiune drena sursa | -100V | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Putere disipata | 94W | |
| Tip tranzistor | P-MOSFET | |
| Incarcatura poarta | 98nC | |
| Carcasa | TO252 | |
| Curent drena | -34A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere P-MOSFET -100V TO252
P-MOSFET -100V
Tranzistor P-MOSFET cu tehnologie Trench, subtip canal îmbogăţit şi montare SMD. Carcasa este TO252, iar produsul este identificat prin codurile G370P10K și G370P10K-GFS.
- Tip tranzistor: P-MOSFET
- Tehnologie: Trench
- Tensiune drenă-sursă: -100V
- Curent drenă: -34A
- Putere disipată: 94W
Are tensiune poartă-sursă de ±20V și încărcătură poartă de 98nC. Este un component pentru montare SMD, în carcasă TO252.
Documentație P-MOSFET -100V TO252
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii P-MOSFET -100V TO252
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare
În stoc
Fără imagine
GOFORD SEMICONDUCTORG230P06M
Tranzistor P-MOSFET -60V TO263
10,50RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
GOFORD SEMICONDUCTOR4435
Tranzistor P-MOSFET Trench unipolar -30V -11A SOP8
9,29RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
GOFORD SEMICONDUCTORG7P03L
Tranzistor P-MOSFET SMD -30V, -7A, 1,9W, SOT23
9,22RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
GOFORD SEMICONDUCTORG02P06
Tranzistor P-MOSFET Trench -60V -1,6A SOT23 - GOFORD SEMICONDUCTOR
8,83RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
GOFORD SEMICONDUCTOR3401
Tranzistor P-MOSFET Trench -30V 4,2A SOT23 GOFORD SEMICONDUCTOR
8,37RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
GOFORD SEMICONDUCTORG11S
Tranzistor P-MOSFET Trench 3,3W SOP8 -20V -11A
8,35RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
GOFORD SEMICONDUCTORG09P02L
Tranzistor P-MOSFET SMD GOFORD -20V, -9A, 2,5W, SOT23
8,30RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
GOFORD SEMICONDUCTORG29
Tranzistor P-MOSFET SMD -15V / -4,1A, SOT23 - GOFORD SEMICONDUCTOR
8,28RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
DIODES INCORPORATEDZXMP6A17GQTA
Tranzistor P-MOSFET Unipolar 60V 3.5A 2W SOT223 - Componentă Electronică
11,41RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
VISHAYSI3459BDV-T1-GE3
Tranzistor P-MOSFET TrenchFET® Unipolar - Tensiune Maxima -60V, Curent Maximal 2,9A, Puls 8A
11,41RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
ONSEMIFDC606P
Tranzistor P-MOSFET 12V 6A 1,6W SuperSOT-6
11,52RON / bucTVA inclus
În stocFără imagine
STMicroelectronicsSTN3P6F6
Tranzistor P-MOSFET Unipolar -60V 2A 2.6W SOT223
11,39RON / bucTVA inclus