🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 278W
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 600V · 37,9A · 278W · PG-TO247-3
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 600V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 278W
Specificații Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A CoolMOS™ P6 - PG-TO247-3
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | INFINEON TECHNOLOGIES | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 600V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Putere disipata | 278W | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 99mΩ | |
| Carcasa | PG-TO247-3 | |
| Curent drena | 37,9A | |
| Tehnologie | CoolMOS™ P6 |
Descriere Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A CoolMOS™ P6 - PG-TO247-3
Descoperiți eficiența și performanța superioară a tranzistorului N-MOSFET de la Infineon Technologies, ideal pentru aplicații de putere. Cu o tensiune drenă-sursă de 600V și un curent drenă de 37,9A, acest tranzistor este proiectat să îndeplinească cele mai exigente cerințe.
Tehnologia CoolMOS™ P6 asigură o disipare optimă a puterii, cu o putere maximă de 278W și o rezistență în timpul funcționării de doar 99mΩ. Acest model este disponibil în carcasa PG-TO247-3, ideală pentru montaj THT.
Specificații tehnice:
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
- Subtip canal: îmbogățit
Documentație Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A CoolMOS™ P6 - PG-TO247-3
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 600V 37,9A CoolMOS™ P6 - PG-TO247-3
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare











