🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 78W
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 800V · 5A · Idm: 22A · 78W · TO220AB
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Tensiune poarta sursa
- ±30V
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tensiune drena sursa
- 800V
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Putere disipata
- 78W
Specificații Tranzistor N-MOSFET 800V 5A TO220AB - VISHAY
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | VISHAY | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Tensiune poarta sursa | ±30V | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tensiune drena sursa | 800V | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Putere disipata | 78W | |
| Incarcatura poarta | 42nC | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 0,45Ω | |
| Carcasa | TO220AB | |
| Curent drena | 5A | |
| Curent de drena in impuls | 22A |
Descriere Tranzistor N-MOSFET 800V 5A TO220AB - VISHAY
Descoperiți performanța superioară a tranzistorului N-MOSFET VISHAY, un component electronic esențial pentru aplicații de putere. Cu o tensiune drenă-sursă de 800V și un curent maxim de 5A, acest tranzistor este ideal pentru proiectele dumneavoastră electronice.
Tranzistorul este montat prin tehnologia THT și beneficiază de o putere disipată de 78W, ceea ce îl face potrivit pentru utilizări variate în circuite de control și comutare. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 0,45Ω, eficiența energetică este garantată.
Specificații cheie:
- Tip: N-MOSFET
- Curent drenă în impuls: 22A
- Încărcătură poartă: 42nC
Documentație Tranzistor N-MOSFET 800V 5A TO220AB - VISHAY
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 800V 5A TO220AB - VISHAY
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare











