🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Tensiune drena sursa
- 55V
- Putere disipata
- 300W
Tranzistor: N-MOSFET · STripFET™ II · unipolar · 55V · 80A · 300W
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Tensiune drena sursa
- 55V
- Putere disipata
- 300W
Specificații Tranzistor N-MOSFET 55V 80A 300W STripFET™ II
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Tensiune drena sursa | 55V | |
| Putere disipata | 300W | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Curent drena | 80A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 6,5mΩ | |
| Tehnologie | STripFET™ II |
Descriere Tranzistor N-MOSFET 55V 80A 300W STripFET™ II
Descoperiți Tranzistorul N-MOSFET de la STMicroelectronics, un component esențial pentru orice aplicație electronică avansată. Cu o tensiune drenă-sursă de 55V și un curent maxim de 80A, acest tranzistor oferă performanțe excelente în condiții de utilizare intensive.
Tehnologia STripFET™ II asigură o rezistență în timpul funcționării de doar 6,5mΩ, ceea ce contribuie la eficiența energetică și la reducerea pierderilor de putere. Cu o putere disipată de 300W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații de putere mare.
Specificații tehnice:
- Tip: N-MOSFET
- Montare: THT
- Carcasă: TO220-3
- Tensiune poartă-sursă: ±20V
Documentație Tranzistor N-MOSFET 55V 80A 300W STripFET™ II
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 55V 80A 300W STripFET™ II
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare











