🔍 zoom- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 200W
Tranzistor: N-MOSFET · unipolar · 100V · 56A · 200W · TO247
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Tensiune drena sursa
- 100V
- Tensiune poarta sursa
- ±20V
- Putere disipata
- 200W
Specificații Tranzistor N-MOSFET 100V 56A TO247 - Ideal pentru aplicații puternice
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | ONSEMI | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Tensiune drena sursa | 100V | |
| Tensiune poarta sursa | ±20V | |
| Putere disipata | 200W | |
| Carcasa | TO247 | |
| Curent drena | 56A | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 25mΩ |
Descriere Tranzistor N-MOSFET 100V 56A TO247 - Ideal pentru aplicații puternice
Tranzistorul N-MOSFET HUF75639G3 de la ONSEMI este o soluție excelentă pentru aplicații ce necesită un curent mare și o disipare eficientă a puterii. Cu o tensiune drenă-sursă de 100V și un curent maxim de 56A, acest tranzistor oferă performanțe de înaltă calitate.
Designul său unipolar și ambalajul în tub TO247 îl fac ușor de integrat în diverse circuite. Cu o rezistență de funcționare de doar 25mΩ și o putere disipată de 200W, acest tranzistor este ideal pentru aplicații industriale și de consum.
Specificații Cheie:
- Tensiune drenă-sursă: 100V
- Curent drenă: 56A
- Putere disipată: 200W
Documentație Tranzistor N-MOSFET 100V 56A TO247 - Ideal pentru aplicații puternice
Documentația tehnică nu e disponibilă pentru acest produs.
Recenzii Tranzistor N-MOSFET 100V 56A TO247 - Ideal pentru aplicații puternice
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse similare











