Tranzistor IGBT STMicroelectronics 650V 20A TO220FP STGF20M65DF2

Tranzistor IGBT STMicroelectronics 650V 20A TO220FP STGF20M65DF2 este componenta ideală pentru aplicații de comutare de înaltă performanță, oferind o combinație excelentă între eficiență și fiabilitate. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor dispune de o carcasă TO220FP, montare THT și ambalaj tip tub, facilitând integrarea ușoară în diverse circuite electronice. Cu o tensiune colector-emitor de 650V și un curent de colector de 20A, asigură performanțe robuste în condiții de sarcină ridicată. Caracteristica elementelor semiconductoare include o diodă anti-paralel integrată, optimizând funcționarea și protecția circuitului. Curentul de colector pulsat poate ajunge până la 80A, iar tensiunea poartă-emitor este de ±20V, cu o încărcătură a porții de 63nC. Puterea disipată maximă este de 32,6W, ceea ce îl face potrivit pentru aplicații industriale și electronice de putere.

Caracteristici principale:

• Producător: STMicroelectronics
• Tip tranzistor: IGBT
• Carcasă: TO220FP
• Montare: THT
• Subtip ambalaj: tub
• Tensiune colector-emitor: 650V
• Curent de colector: 20A
• Curent de colector pulsat: 80A
• Tensiune poartă-emitor: ±20V
• Încărcătură poartă: 63nC
• Putere disipată: 32,6W
• Caracteristici elemente semiconductoare: diodă anti-paralel integrată

Acest tranzistor IGBT este soluția optimă pentru proiecte ce necesită comutare rapidă și eficientă, cu o durabilitate crescută și performanțe stabile.