EMElectronicMag.ro
Tranzistor N-MOSFET VISHAY 600V 8A SIHD14N60E-GE3 DPAK TO252

Tranzistor N-MOSFET VISHAY 600V 8A SIHD14N60E-GE3 DPAK TO252

Cod producător: SIHD14N60E-GE3
Producător:VISHAY
În stoc
24,42 RON
TVA inclus
20,18 RON (fără TVA)

Tranzistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; Idm: 32A; 147W; DPAK,TO252

Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.

ProducătorVISHAY
Subtip-ambalajrolă / bandă
Polarizareunipolar
MontareSMD
Tensiune-poarta-sursa±30V
Subtip-canalîmbogăţit
Tensiune-drena-sursa600V
Tip-tranzistorN-MOSFET
Curent-drena8A
Incarcatura-poarta64nC
Putere-disipata147W
Curent-de-drena-in-impuls32A
CarcasaTO252 / DPAK
Rezistenta-in-timpul-functionarii309mΩ
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare

Produse asociate(15)

1 / 3
Lipsă stoc
Fără imagineUnealtă pentru îmbinare benzi
ANTISTAT
Unealtă pentru îmbinare benzi
4.496,37RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imagineKit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
BERNSTEIN
Kit Pensete SMD ESD cu Etui, Rezistent la Acizi
804,32RONTVA inclus
În stoc
Fără imaginePensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică cu Vârf Curbat SMD
176,81RONTVA inclus
Stoc: 4
Fără imaginePensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
BERNSTEIN
Pensetă Nemagnetică Trapezoidală SMD ESD
174,99RONTVA inclus
Lipsă stoc
Fără imaginePensetă vârfuri îndoite 35° SMD
BERNSTEIN
Pensetă vârfuri îndoite 35° SMD
132,48RONTVA inclus
Stoc: 1
Fără imagine
ANTISTAT
Unealtă pentru Îmbinare Benzi
2.844,96RONTVA inclus