Tranzistor IGBT STMicroelectronics 650V 30A 258W D2PAK STGB30M65DF2

Tranzistor IGBT STMicroelectronics 650V 30A 258W D2PAK STGB30M65DF2 este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații de comutare și control al puterii. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor IGBT dispune de o tensiune colector-emitor de 650V și un curent de colector de 30A, asigurând o putere disipată de până la 258W. Carcasa D2PAK și montarea SMD facilitează integrarea în circuite compacte, iar caracteristica elementelor semiconductoare include o diodă anti-paralelă integrată pentru protecție suplimentară. Cu un curent de colector pulsat de 120A și o încărcătură poartă de 80nC, acest tranzistor oferă performanțe stabile și eficiente. Tensiunea poartă-emitor este ±20V, iar produsul este disponibil în ambalaj tip rolă și bandă, optim pentru procese automate de asamblare.

• Producător: STMicroelectronics


• Tip tranzistor: IGBT


• Tensiune colector-emitor: 650V


• Curent de colector: 30A


• Curent de colector pulsat: 120A


• Putere disipată: 258W


• Încărcătură poartă: 80nC


• Tensiune poartă-emitor: ±20V


• Carcasă: D2PAK


• Montare: SMD


• Caracteristici elemente semiconductoare: diodă anti-paralelă integrată


• Subtip ambalaj: rolă, bandă