Tranzistor N-MOSFET VISHAY SIHG20N50E-GE3 500V 12A TO247AC

Tranzistor N-MOSFET VISHAY SIHG20N50E-GE3 500V 12A TO247AC este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor N-MOSFET unipolar, cu canal îmbogățit, oferă o tensiune maximă drenă-sursă de 500V și un curent de drenă continuu de 12A, asigurând stabilitate și fiabilitate în circuite de putere.

• Producător: VISHAY


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 179W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO247AC


• Curent de drenă în impuls: 42A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 12A


• Tensiune drenă-sursă: 500V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 184mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 92nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET

Datorită carcasei TO247AC și montării THT, acest tranzistor este ușor de integrat în diverse aplicații industriale și electronice. Performanțele ridicate îl recomandă pentru utilizare în surse de alimentare, convertoare și alte echipamente ce necesită control precis al curentului și tensiunii.