Tranzistor N-MOSFET VISHAY SIHA24N80AE-GE3 800V 5A TO220FP

Tranzistor N-MOSFET VISHAY SIHA24N80AE-GE3 800V 5A TO220FP este componenta ideală pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de VISHAY, acest tranzistor N-MOSFET cu canal îmbogățit oferă o tensiune drenă-sursă de 800V și un curent de drenă continuu de 5A, fiind potrivit pentru circuite de putere medie. Cu o rezistență în timpul funcționării de doar 184mΩ și o putere disipată de 35W, asigură performanțe stabile și fiabile. Montarea se realizează prin tehnologia THT, în carcasă TO220FP, iar ambalajul este de tip tub. Curentul de drenă în impuls poate ajunge până la 51A, iar tensiunea poartă-sursă suportată este de ±30V. Polarizarea unipolară și încărcătura poartă de 89nC completează caracteristicile tehnice, făcând acest tranzistor o alegere excelentă pentru proiecte electronice ce necesită componente robuste și eficiente.

• Producător: VISHAY


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 35W


• Montare: THT


• Carcasă: TO220FP


• Curent de drenă în impuls: 51A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 5A


• Tensiune drenă-sursă: 800V


• Tensiune poartă-sursă: ±30V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 184mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 89nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET