Tranzistor IGBT STMicroelectronics 650V 40A TO3P STGWT40H65DFB

Tranzistor IGBT STMicroelectronics 650V 40A TO3P STGWT40H65DFB este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficientă. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor dispune de o carcasă robustă TO3P și este montat prin tehnologia THT, asigurând o disipare termică optimă de până la 283W. Cu un curent de colector nominal de 40A și un curent de colector pulsat de 160A, dispozitivul suportă o tensiune colector-emitor de 650V, fiind potrivit pentru circuite de putere medie și înaltă. Caracteristica integrată a diodei anti-paralelă sporește fiabilitatea și protecția circuitului. Tensiunea poartă-emitor este de ±20V, iar încărcătura poartă este de 0,21µC, ceea ce contribuie la o comutare eficientă și stabilă. Acest tranzistor IGBT este ambalat în tub, facilitând manipularea și integrarea în diverse aplicații industriale și electronice.

• Producător: STMicroelectronics


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 283W


• Montare: THT


• Carcasă: TO3P


• Caracteristici elemente semiconductoare: integrated anti-parallel diode


• Curent de colector pulsat: 160A


• Tensiunea poartă - emitor: ±20V


• Curent de colector: 40A


• Tensiune colector-emiţător: 650V


• Încărcătură poartă: 0,21µC


• Tip tranzistor: IGBT