Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh™ K5 1200V 12A STP8N120K5
Cod producător: STP8N120K5
🔍 zoomSpecificații cheie
- Versiune
- ESD
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO220-3
- Putere disipata
- 130W
Tranzistor: N-MOSFET · MDmesh™ K5 · unipolar · 1200V · 3,5A · Idm: 12A
În stocExpediere 1-2 zile lucrătoareCargus / Sameday · transport 17,85 leiTransport gratuit peste 400 lei
62,24 RON / bucată
TVA inclus
51,44 RON / bucată (fără TVA)
Plată ramburs, card sau ordin de plată — poţi plăti la livrareRetur 14 zile pentru persoane fiziceGaranţie 24 luni persoane fizice · 12 luni firme
Specificații cheie
- Versiune
- ESD
- Montare
- THT
- Polarizare
- unipolar
- Subtip canal
- îmbogăţit
- Subtip ambalaj
- tub
- Tip tranzistor
- N-MOSFET
- Carcasa
- TO220-3
- Putere disipata
- 130W
Specificații Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh™ K5 1200V 12A STP8N120K5
Bifează specificații → găsește produse similare în aceeași categorie.
| Producător | STMicroelectronics | |
| Versiune | ESD | |
| Montare | THT | |
| Polarizare | unipolar | |
| Subtip canal | îmbogăţit | |
| Subtip ambalaj | tub | |
| Tip tranzistor | N-MOSFET | |
| Carcasa | TO220-3 | |
| Putere disipata | 130W | |
| Tehnologie | MDmesh™ K5 | |
| Tensiune drena sursa | 1,2kV | |
| Rezistenta in timpul functionarii | 2Ω | |
| Curent drena | 3,5A | |
| Curent de drena in impuls | 12A |
Selectează cel puțin o specificațieArată produse similare
Descriere Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh™ K5 1200V 12A STP8N120K5
Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh™ K5 1200V 12A STP8N120K5 este un component electronic de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență energetică. Fabricat de STMicroelectronics, acest tranzistor beneficiază de tehnologia avansată MDmesh™ K5, oferind o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 2Ω și o tensiune drenă-sursă de 1200V, asigurând astfel o fiabilitate crescută în circuite de putere.
- Versiune: ESD
- Subtip ambalaj: tub
- Putere disipată: 130W
- Montare: THT
- Carcasă: TO220-3
- Curent de drenă în impuls: 12A
- Polarizare: unipolar
- Curent drenă: 3,5A
- Tensiune drenă-sursă: 1,2kV
- Rezistenţă în timpul funcţionării: 2Ω
- Subtip canal: îmbogăţit
- Tip tranzistor: N-MOSFET
- Tehnologie: MDmesh™ K5
Acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale și electronice care necesită o disipare termică eficientă și o capacitate mare de curent, fiind ușor de montat datorită carcasei TO220-3 și montării THT. Cod producător: STP8N120K5.
Documentație Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh™ K5 1200V 12A STP8N120K5
Recenzii Tranzistor N-MOSFET STMicroelectronics MDmesh™ K5 1200V 12A STP8N120K5
Nicio recenzie încă. Fii primul care adaugă una!
Întrebări despre acest produs
Nicio întrebare publică încă. Pune prima — răspundem în max 24h lucrătoare.
Produse asociate(48)
1 / 8
Stoc limitat
Fără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare TO220
258,31RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-108/1000/SW
Radiator extrudat cu aripioare TO220 negru
266,54RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-129/1000/M
Radiator extrudat cu aripioare naturale 1m
441,94RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/M
Radiator extrudat U natural 1m
171,26RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-202/1000/SW
Radiator extrudat negru pentru TO220
698,16RON / bucTVA inclus
Stoc limitatFără imagine
SEIFERT ELECTRONICKL-208/1000/M
Radiator extrudat TO220, natural, 1m
201,88RON / bucTVA inclus