Tranzistor IGBT IXYS IXBT6N170 1,7kV 6A 75W D3PAK BiMOSFET™

Tranzistor IGBT IXYS IXBT6N170 1,7kV 6A 75W D3PAK BiMOSFET™ este un dispozitiv semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de IXYS, acest tranzistor IGBT dispune de o tensiune colector-emitor de 1,7 kV și un curent de colector de 6A, asigurând o putere disipată de 75W.

• Producător: IXYS


• Subtip ambalaj: tub


• Montare: SMD


• Carcasă: D3PAK


• Caracteristici elemente semiconductoare: de tensiune înaltă


• Curent de colector pulsat: 36A


• Tensiunea poartă - emitor: ±20V


• Timp activare: 104ns


• Timp dezactivare: 700ns


• Încărcătură poartă: 17nC


• Tip tranzistor: IGBT


• Tehnologie: FRED, BiMOSFET™

Designul compact în carcasă D3PAK și tehnologia BiMOSFET™ permit integrarea facilă în circuite SMD, oferind o soluție robustă și fiabilă pentru aplicații industriale și electronice de putere. Performanțele excelente la comutare și rezistența la tensiuni înalte fac din IXBT6N170 o alegere optimă pentru controlul motoarelor, surse de alimentare și echipamente de automatizare.