Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 51A MICROCHIP MSC031SMC120B4N

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 51A MICROCHIP MSC031SMC120B4N

Tranzistorul N-MOSFET SiC MSC031SMC120B4N de la MICROCHIP TECHNOLOGY este proiectat pentru aplicații industriale și de putere, oferind performanțe superioare datorită tehnologiei Silicon Carbide (SiC). Acest dispozitiv din gama SMC dispune de o tensiune drenă-sursă de 1,2 kV și un curent de drenă nominal de 51A, fiind ideal pentru circuite de înaltă tensiune și curent mare.

• Producător: MICROCHIP TECHNOLOGY


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 362 W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO247-4-notch


• Caracteristici elemente semiconductoare: terminal Kelvin


• Curent de drenă în impuls: 161 A


• Polarizare: unipolar


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 42 mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 70 nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: Silicon Carbide (SiC)

Datorită carcasei TO247-4-notch și montării THT, acest tranzistor asigură o disipare termică eficientă și o integrare facilă în diverse aplicații electronice. Terminalul Kelvin optimizează performanța electrică prin reducerea pierderilor. Curentul de drenă în impuls de 161A permite utilizarea în aplicații cu solicitări dinamice ridicate.

MSC031SMC120B4N este soluția ideală pentru proiecte ce necesită fiabilitate, eficiență energetică și rezistență în condiții de lucru dificile, fiind un component esențial în echipamente de putere, convertoare și sisteme de control industrial.