Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 68A MICROCHIP MSC020SMB120B4N

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 68A MICROCHIP MSC020SMB120B4N

Tranzistorul N-MOSFET SiC MSC020SMB120B4N de la MICROCHIP TECHNOLOGY este proiectat pentru aplicații industriale ce necesită performanță ridicată și fiabilitate. Cu o tensiune drenă-sursă de 1,2kV și un curent de drenă de 68A, acest dispozitiv asigură o disipare a puterii de până la 416W, fiind ideal pentru circuite de putere și conversie energetică.

• Gama: SMB


• Producător: MICROCHIP TECHNOLOGY


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 416W


• Montare: THT


• Carcasă: TO247-4-notch


• Caracteristici elemente semiconductoare: terminal Kelvin


• Curent de drenă în impuls: 243A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 68A


• Tensiune drenă-sursă: 1,2kV


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 27mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 136nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: SiC (carbură de siliciu)

Carcasa TO247-4-notch și montarea THT facilitează integrarea ușoară în diverse aplicații electronice. Tehnologia SiC oferă o eficiență superioară și o rezistență termică excelentă, făcând acest tranzistor potrivit pentru sisteme de înaltă tensiune și curent mare.