Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 41A ONSEMI NTH4L040N120SC1 performant

Tranzistor N-MOSFET SiC 1,2kV 41A ONSEMI NTH4L040N120SC1 performant este un component semiconductor de înaltă performanță, ideal pentru aplicații ce necesită comutare rapidă și eficiență ridicată. Fabricat de ONSEMI, acest tranzistor utilizează tehnologia SiC (carbură de siliciu), oferind o rezistență redusă în timpul funcționării de doar 56mΩ și o capacitate de disipare a puterii de 160W.

• Producător: ONSEMI


• Subtip ambalaj: tub


• Putere disipată: 160W


• Montare: THT (Through-Hole Technology)


• Carcasă: TO247-4


• Caracteristici elemente semiconductoare: terminal Kelvin


• Curent de drenă în impuls: 232A


• Polarizare: unipolar


• Curent drenă: 41A


• Tensiune drenă-sursă: 1,2kV


• Tensiune poartă-sursă: -15...25V


• Rezistenţă în timpul funcţionării: 56mΩ


• Subtip canal: îmbogăţit


• Încărcătură poartă: 106nC


• Tip tranzistor: N-MOSFET


• Tehnologie: SiC (carbură de siliciu)

Datorită caracteristicilor sale avansate, acest tranzistor este potrivit pentru aplicații industriale, surse de alimentare și sisteme de comutare de înaltă tensiune, oferind o durabilitate și eficiență superioară față de tranzistorii tradiționali.